01 存儲芯片，開啟超級周期

　　存儲芯片周期性顯著強于其他半導體細分領域，近 13 年呈現 3-4 年一輪的周期規律，當前正處于第四輪周期。

　　回顧前三輪：2012-2015 年由智能機換機潮驅動，后因擴產供過于求下行;2016-2019 年受益 3D NAND 產能轉移、DDR4 迭代及手機游戲需求，DRAM 等產品價格漲幅超 100%，后續受 PC / 服務器需求疲軟調整;2020-2023 年疫情催生遠程辦公與數據中心需求，存儲先漲后因需求疲軟、產能過剩下跌超 50%。

　　2024 年至今，AI 算力基建與 HBM 技術革命成為新引擎，改寫傳統周期邏輯。第四輪周期中，存儲需求不再依賴個人消費端，企業級 AI 資本開支成為重要支撐，驅動 HBM、DDR4/DDR5 及企業級 SSD 等市場大規模增長。

　　在此趨勢下，三星、SK 海力士等行業龍頭開啟新一輪爭奪戰，業績迎來空前高增。

　　10月14日，三星公布的初步財報顯示，Q3營業利潤為12.1萬億韓元，同比增長31.81%，環比大增158.55%，大超預期。三星單季營業利潤歷經5個季度，再次回升至10萬億韓元以上，也創下自2022年第二季度(14.1萬億韓元)以來的最高記錄。

　　三季度銷售額為86萬億韓元，同比增長8.72%，環比增長15.33%，創下歷史新高。三星將于本月晚些時候公布包含凈利潤和部門明細項目的完整財報。

　　SK海力士Q3運營利潤首次突破10萬億韓元大關，達到11.38萬億韓元，同比激增62%;營收24.45萬億韓元，同比增長39%;凈利潤12.598萬億韓元，三項核心指標均刷新歷史紀錄。

　　HBM業務成為驅動業績增長的核心引擎。財報披露，12層堆疊的HBM3E及服務器DDR5等高端產品貢獻了主要收入增量，推動公司毛利率攀升至57%。

　　據悉，三星與SK海力士近日已通知客戶：2025 年第四季度合同或現貨價格將調高至約 30% 的幅度，涉及DRAM 與 NAND Flash 產品。

　　隨著云服務器、AI 模型訓練及推理需求的疊加，DRAM 與 NAND 的供需格局正在發生改變。多家國際電子與服務器廠商據稱在近日積極與三星、SK 海力士磋商“2-3 年期”中長期供貨協議，以鎖定未來資源、避免價格波動風險。

　　DRAM價格攀升的部分原因在于產能受到HBM的擠壓。據報道援引美光首席商務官Sumit Sadhana的言論，HBM消耗的晶圓產能是標準DRAM的三倍以上。由于利潤豐厚，內存制造商有充分的動力優先生產HBM。

　　02 SK海力士，連續三季度蟬聯DRAM市場榜首

　　在過去兩個季度中：2025年Q1，SK 海力士首次打破三星電子自1992年以來的長期壟斷，以36.9%的市占率登頂 DRAM 全球榜首，終結了三星長達 33 年的霸主地位。這一里程碑式的突破，標志著 DRAM 市場格局正式進入雙雄爭霸的全新階段。

　　Q1三星市占率降至 34.4%，SK 海力士憑借 2.5 個百分點的優勢實現首次超越。

　　Q2 競爭差距進一步拉大，SK 海力士市占率飆升至 39.5%，而三星市占率續跌至 33.3%，兩者差距擴大至 6.2 個百分點。

　　隨著SK海力士Q3財報的公布，新一季度DRAM王座競賽也已經有了答案。

　　根據Counterpoint Research 的《存儲市場追蹤報告》，2025年Q3，SK 海力士的 DRAM 營收環比增長11%，同比增長54%，以35%的營收份額連續第三個季度穩居全球 DRAM 市場第一。在HBM和通用 DRAM強勁表現的推動下，公司本季度的 DRAM 營收也創下了歷史新高。

　　三星電子以34%的市場份額位居第二，營收環比增長29%、同比增長24%，與 SK 海力士之間的差距較去年縮小了5個百分點。

　　雖然本季度 SK 海力士在整體存儲市場上被三星電子反超，但在 HBM 和通用 DRAM 強勁需求的支持下，公司繼續領跑 DRAM 市場。在 HBM 市場，SK 海力士以58%的市場份額繼續占據主導地位。HBM 在其第三季度 DRAM 總銷售額中占比高達40%。此外，公司也預計將順利按照客戶需求推進 HBM4 產品的交付。在通用 DRAM 領域，需求回升與價格上漲也為公司業績提供了有力支撐。

　　Counterpoint Research 分析師 Jeongku Choi表示：“隨著 AI 存儲需求保持高位，SK 海力士有望在Q4延續之前的強勁表現。公司在 HBM4 研發中積極響應客戶需求，并在良率表現方面依舊處于行業領先水平。”

　　SK海力士已與核心客戶完成HBM4的供應談判，計劃于第四季度啟動量產出貨。三星計劃在10月27日至31日的“Samsung Tech Fair 2025”技術展覽會上亮相其第六代12層HBM4產品，并計劃今年晚些時候進入量產階段。

　　分析師分析預計12層HBM4產品的售價為每片500美元，較目前約300美元的12層HBM3e價格高出60%以上。

　　SK海力士的財報也指出，已完成與主要客戶關于2026年HBM供應的全部談判，并計劃在2025年四季度開始出貨次世代HBM4產品，2026年進行全面銷售。

　　更為關鍵的是，SK海力士已鎖定2026年所有DRAM和NAND產能的客戶需求，預計2026年DRAM出貨量將同比增長超20%，并預測HBM供應緊張將持續至2027年。

　　但競爭態勢正在發生微妙變化。美光已向英偉達供應部分HBM產品，而三星電子上月通過了英偉達針對先進HBM產品的資格測試。Counterpoint Research研究總監MS Hwang警告：“SK海力士要持續盈利，保持和增強競爭優勢將至關重要。”

　　在后續 DRAM 市場的技術競賽中，這些存儲巨頭均鉚足了力。

　　03 存儲龍頭，上High NA EUV了

　　High NA EUV 是一項關鍵技術，它開啟了半導體產業的下一章。

　　這并非對High NA EUV 光刻機的吹捧，是當前芯片制造的現狀。對于存儲行業來說亦是如此。

　　High NA EUV光刻機是下一代芯片制造的關鍵技術，與傳統EUV相比，它能提供1.7倍更精細的電路圖案和2.9倍更高的晶體管密度，光學精度提升了40%。

　　這對于生產密度更高、更節能、性能更強大的2nm代工芯片以及先進存儲產品(如垂直通道晶體管DRAM和第六代HBM4)至關重要。

　　本月，市場消息稱三星電子正加速押注DRAM 領域，從 ASML購入 5 臺全新 High-NA EUV 光刻機，其中2 臺將部署在三星半導體代工事業部，其余設備則專供存儲事業部。

　　此前，三星曾在京畿道園區引進過一臺用于研發的High-NA EUV 設備，此次引進的機器將用于“產品量產”，對于三星來說尚屬首次。

　　上個月，SK海力士也剛剛宣布，已將業界首款量產型High NA EUV引進韓國利川M16工廠。

　　不過當前引進的High NA EUV多用于研發、試生產，并非當前一代產品就會使用High NA EUV生產。

　　在探究這兩大存儲龍頭何時用上High NA EUV，要從當前市場的競逐熱點1c DRAM說起。

　　2024年8月，SK海力士就曾宣布成功開發全球首款第六代10nm等級1c制程DDR5 DRAM，是1b平臺的延伸，生產效率更高，運行速度、性能方面顯著改進。除DDR5外，SK海力士旗下LPDDR6、GDDR7等也將采用此制程。

　　10nm級的DRAM已經開始引入了EUV光刻技術，但通常只有很少的關鍵層數應用，絕大部分依然是DUV光刻。

　　今年8月，SK海力士又將其1c制程DRAM制造，首次升級到了6層EUV光刻，這將有助于提升產品的性能和良率，使得SK海力士能夠推出存儲位元更密集、讀寫速度更快、功耗更低的DDR5內存以及更高容量的HBM堆棧。

　　市場消息稱，SK海力士的 1c DRAM 已經實現了 80%-90% 的良率，預計將會在 1d 和 0a DRAM 等下一代產品上更多的使用EUV光刻，最終將為使用更先進的High NA EUV奠定基礎。

　　三星電子在第六代10nm 1c DRAM制程的開發上遭遇了挑戰，導致預計完成時間持續推遲。據悉，三星下一代 1c DRAM 在 HBM4 上的良率僅有約 50%，不過三星將會在哪一代產品中使用EUV光刻機尚不清晰。

　　另一家存儲龍頭美光方面，尚未使用 High NA EUV。美光在 2025 年推出了采用全新 1γ(1-gamma)制造工藝的 16Gb DDR5 設備，該工藝是美光首次采用 EUV 光刻技術的工藝。但美光采用的是將 EUV 與多重圖案化 DUV 技術結合的方式，僅對關鍵金屬層使用 EUV 光刻，其余層仍采用深紫外光(DUV)多重曝光技術。

　　不過對于 DRAM 的后續演進，美光似乎有自己的想法。

　　美光，另辟蹊徑?

　　隨著與三星電子和SK海力士的競爭日益激烈，美光科技正在加速其10納米以下DRAM工藝路線圖的推進。

　　據悉，美光正在評估兩條潛在的路線圖。一條路線遵循常規順序，從目前的第七代 (1d) 10nm 工藝發展到大約 10.1nm 的第八代 (1e)。另一條路線則更具雄心，它完全跳過 1e 步驟，直接過渡到真正的 9nm DRAM 工藝。

　　在 DRAM 制造中，更窄的線寬可帶來更高的密度和性能。10nm 級工藝已歷經數代演進——1x、1y、1z、1a、1b 和 1c——每一代都實現了更精細的微縮。最新的商業化節點 1c 尺寸約為 11.2nm。

　　一位業內人士指出，關鍵變量在于美光公司能將其1d節點縮小多少。如果1d線寬保持在10.9納米左右，那么它可能需要先引入10.1納米的1e工藝，然后再進一步降低。但如果1d達到約10.2納米，美光公司就有可能跳過1e工藝，直接進入9納米級別，這將是一次意義重大的技術飛躍。

　　據報道，三星計劃直接從其1d節點轉向9nm(0a)DRAM工藝，而SK海力士預計將采取類似的快速發展戰略。隨著這兩家韓國競爭對手加快9nm工藝的開發，美光公司正在調整其路線圖以保持競爭力。

　　04 存儲兩龍頭，還搭上了OpenAI

　　日前，三星電子和SK海力士分別與OpenAI簽署協議，宣布作為核心合作伙伴，參與全球人工智能基礎設施項目Stargate。

　　Stargate是OpenAI價值5000億美元的數據中心基礎設施項目，計劃為OpenAI的ChatGPT建設20個專注于AI的數據中心。目標是在2029年前投入運營。OpenAI正與軟銀和甲骨文在該項目上開展合作。

　　此外，OpenAI還正與三星和SK海力士合作在韓國建設兩個數據中心，初始容量為20兆瓦。

　　未來一段時間，三星和SK海力士將擴大內存芯片產量，目標是每月90萬片DRAM晶圓。OpenAI沒有說明這是標準DRAM還是專用HBM。不過，KED Global媒體稱這是用于HBM的。

　　因為OpenAI 的 “Stargate” 計劃要承載下一代千億參數大模型，每秒需處理數千萬次數據交互，傳統 DDR5 內存數百 GB/s 的帶寬早已捉襟見肘，而三星與 SK 海力士主打的 HBM(高帶寬內存)恰好補上短板 ——HBM3E 的帶寬可達 3.35TB/s，能讓 GPU 集群效率提升 30%，延遲降低 20%。

　　據了解，Stargate訂單可能還包括服務器DRAM、圖形DRAM，甚至SSD。

　　KED Global表示，每月90萬片晶圓是當前全球產能的兩倍。據了解，SK海力士目前每月運營16萬片DRAM和HBM晶圓。這意味著三星和SK海力士都必須建設新的HBM工廠。連鎖反應可能是它們會減少DRAM生產，因為DRAM不如HBM盈利。