據“科創江北”消息，2025年10月23日，江北新區企業南京極鉬芯科技有限公司(以下簡稱“極鉬芯科技”)與南京大學科研團隊在《Science》期刊共同發表重要研究成果。

　　極鉬芯科技深度參與工藝開發與設備研制，為研究團隊提供了自主研制的二維半導體MOCVD設備Oxy-MOCVD 200 ultra，成功實現了全球首個6英寸二維半導體單晶系列的量產化制備。該設備的全面國產化與自主可控性，標志著我國在下一代集成電路關鍵材料與裝備領域取得重要突破。極鉬芯科技同步推出多款二維半導體單晶晶圓與單晶襯底產品，為科研與產業應用提供高質量材料解決方案。

　　技術突破

　　實現量產級性能與靈活工藝的協同創新

　　極鉬芯科技MOCVD設備從底層原理出發進行原創設計，具備高度的專業性與工藝適配能力，為二維半導體單晶生長提供了可靠的量產級技術平臺。本次突破的核心在于成功融合了科研級的工藝靈活性與量產級的工藝穩定性。相較于傳統制備技術存在的可控性與均勻性局限，新開發的技術路徑在大尺寸晶圓均一性、工藝穩定性方面展現出顯著優勢。

　　該設備集成了多項自主開發的核心技術：

　　1、“Precise-Flow”前驅體輸運系統，實現氣體流量的精準控制與長效穩定，確保材料質量的一致性;

　　2、“Multi-Zone Thermal”溫場控制模塊，支持復雜溫度曲線的精確執行，為多樣化工藝開發提供理想環境;

　　3、開放式工藝架構，用戶可根據研發需求靈活調整工藝參數，實現從材料成核到晶圓擴大的全流程可控生長。

　　創新模式

　　工藝與設備的深度融合

　　作為《Science》論文的合作單位，極鉬芯科技深度參與了從工藝原理驗證到設備系統優化的全流程創新。此次在《Science》發表的成果，驗證了極鉬芯科技在二維半導體專用生長裝備領域已達到國際先進水平。經南京大學團隊驗證，Oxy-MOCVD 200 ultra生長的150毫米二硫化鉬單晶圓片單向疇對齊率超過99%，成功攻克晶圓級單晶制備難題。

　　值得關注的是，該技術體系采用工藝與設備深度融合的創新模式，將經過驗證的優質工藝方案直接賦能于設備系統，為用戶提供即插即用的先進制程能力。基于該設備制備的器件展現出卓越的電學性能與一致性：室溫電子遷移率平均值達110 cm2·V-1·s-1，最高值突破160 cm2·V-1·s-1，器件良率達到100%。該設備已成功支持二硫化鉬、二硒化鉬、二硫化鎢、二硒化鎢等多種主流二維半導體材料的單晶生長，展現出廣泛的材料兼容性與工藝擴展潛力。

　　戰略意義

　　以技術創新驅動產業高質量發展

　　在當前大國博弈與科技革命交織的復雜環境下，發展新質生產力成為把握戰略主動的關鍵。本次二維半導體單晶制備技術的突破，正是響應國家“十五五”規劃中關于強化科技創新和產業鏈自主可控戰略要求的具體實踐。

　　該成果通過工藝與設備的深度融合創新，實現了從基礎研究到產業應用的全鏈條突破。一方面，攻克了二維半導體單晶材料制備的技術瓶頸，為人工智能、未來信息等戰略性新興產業提供了關鍵材料支撐;另一方面，裝備的全面國產化與自主可控，有效提升了我國在集成電路領域的產業鏈安全性，為應對國際技術競爭提供了重要保障。

　　這一創新突破體現了新質生產力的核心特征——以科技創新驅動產業升級。通過構建產學研用深度融合的創新體系，不僅推動了二維半導體領域的技術進步，更為我國在新一輪科技革命和產業變革中贏得先機奠定了堅實基礎。

　　未來，隨著該項技術在各領域的廣泛應用，將有力推動我國半導體產業實現高質量發展，為構建自主可控的現代產業體系、掌握國家發展和國際競爭主動權提供有力支撐。