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全球晶圓廠進度概況

去年1月，SEMI國際半導體產業協會公布報告，全球半導體產能繼2023年以5.5%成長至每月2,960萬片晶圓之后，預計2024年將增速成長6.4%，突破3,000萬片大關。

中國大陸

2024年中國大陸計劃新增的晶圓廠數量相當可觀。受惠于政府資金挹注和其他獎勵措施，預期中國將擴大其在全球半導體產能的占比。中國芯片制造商預計2024年展開了18座新晶圓廠，產能年增率從2023年的12%提升至2024年的13%，產能從760萬片推升成長至860萬片。

從具體項目來看，中芯國際深圳12英寸晶圓廠、華潤微(潤鵬)12英寸晶圓廠、增芯12英寸晶圓廠等都是2024年新增的晶圓廠項目。此外，還有鼎泰匠芯、昇維旭、鵬芯微、鵬新旭等晶圓廠也在2024年進行了建設或投產。

臺積電

亞利桑那州：2024 年 4 月，臺積電同意將在美國亞利桑那州的投資額增加 250 億美元至 650 億美元，并計劃于 2030 年在該州建立第三座晶圓廠。美國商務部長雷蒙多于 2025 年 1 月確認，臺積電位于亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠一期已經開始為美國客戶生產 4 nm芯片。該工廠預計 2025 年上半年開始大批量生產，第二座晶圓廠則預定在 2028 年生產最前沿的 2 nm芯片。

日本熊本縣：2024 年 12 月，臺積電位于日本熊本縣的晶圓廠(熊本一廠)正式按照計劃開始量產，主要生產 12 至 28 nm的成熟制程邏輯芯片，月產能從最初的 4.5 萬片提升至 5.5 萬片，首批客戶包括索尼集團等行業企業。熊本二廠計劃在 2027 年年底投產，更先進的 6 nm芯片生產線也將隨之落地。

德國德累斯頓：2024 年 8 月 ，臺積電正式為其德國德累斯頓晶圓廠舉行奠基儀式。該晶圓廠在 2024 年底開始建設，最早于 2027 年第四季度開始量產。臺積電德國廠將專注于汽車芯片，采用 28nm/22nm CMOS 和 16nm/12nm FinFET 技術，月產能約 4 萬片晶圓，預計將創造 2000 個直接高科技就業機會。

韓國

“全球最大的半導體園區”：韓國國土交通部于2024年12月26日正式宣布將龍仁半導體集群指定為國家產業園區。三星電子和SK海力士將作為主導廠商參與該產業園區的建設。該產業園區占地728萬平方米，將擁有多個大型晶圓廠和3個發電廠。三星電子計劃在龍仁市投資新建6個晶圓廠，而SK海力士則計劃新建4座晶圓廠。新的晶圓廠將于2025年3月正式破土動工，預計將在2027年完工。整個園區的建設工程則預計將在2046年全面竣工。然而，根據計劃，目標是在2030年前實現第一座晶圓廠順利進行首次運營。

三星

泰勒晶圓廠：三星電子于2021年11月宣布在泰勒市建設這座新的半導體工廠，預計投資高達170億美元。該工廠是三星電子在美國的第二座芯片代工廠，也是其在得克薩斯州的第二座芯片代工廠(第一座位于奧斯汀)。三星泰勒晶圓廠計劃采用先進的生產工藝，包括3nm和2nm芯片的生產。其中，2nm芯片的生產線預計將在2026年開始運營。三星泰勒晶圓廠已經確定了首家客戶，即專注于人工智能芯片和加速器的無晶圓半導體設計廠商Groq。Groq計劃采用三星泰勒工廠的4nm制程工藝制造下一代的半導體。此外，三星還在積極尋求與其他潛在客戶的合作，以進一步拓展其晶圓代工業務。

平澤晶圓廠 ：三星已于 2024 年第四季度在平澤 P2 廠建立 10nm 級的第七代 DRAM 測試線，預計 2025 年第一季度完全建成;P4 工廠的首期產線即將投產，但后續的二期和四期項目將被推遲。原計劃在 2024 年下半年動工的第二至第四階段的工程全部延后，相關設備和基礎設施的發包也一并延后。P4 一期產線預計將于近期開始投產，三期產線目前正在建設中，預計中秋節后將正式安裝電力等設備;P5 工廠的建設將推遲到 2026 年。

華城晶圓廠：三星正加速在韓國華城的 “S3” 工廠內建設其先進的 2nm 生產線，目標是在 2025 年第一季度達成每月 7000 片晶圓的生產能力。

日本

Rapidus ：Rapidus于 2023 年 2 月宣布將在北海道千歲市建造工廠，計劃建造兩座或以上制造大樓，每座大樓對應 2nm 之后不同的技術世代。該工廠預計在 2025 年 4 月啟動先進制程原型線，2027 年實現量產。

瑞薩電子：計劃重新開放其位于甲府的工廠，作為能夠制造IGBT和功率MOSFET的300毫米功率半導體晶圓廠。該工廠一旦實現量產，將使瑞薩功率半導體的總產能翻一番，以滿足日益增長的電動汽車和可再生能源市場的需求。

新加坡

世界先進和恩智浦：2024年6 月 5 日，晶圓代工廠世界先進和恩智浦半導體宣布，計劃在新加坡共同成立一家制造合資公司 VisionPower Semiconductor Manufacturing Company(VSMC)，興建一座 12 英寸晶圓廠。投資金額約為 78 億美元，預計 2027 年開始量產，并于 2029 年達到 5.5 萬片 12 英寸晶圓的月產能。

聯電：聯電新加坡新廠于2024 年中完工，計劃2025 年初量產，第一期的月產能規劃為 30,000 片晶圓，將提供 22/28nm 制程，總投資金額為 50 億美元。

美光：美光科技投資 70 億美元的新加坡高帶寬內存(HBM)封裝工廠破土動工，計劃于 2026 年開始運營，2027 年先進封裝總產能將大幅擴張。

世創電子：德國晶圓制造商世創電子耗資 20 億歐元在新加坡建造的第三座半導體晶圓工廠正式開幕，主要生產 12 寸半導體晶圓，預計從投產到年底每月可生產約 10 萬片晶圓。

馬來西亞

英飛凌：英飛凌位于馬來西亞居林的 200mm 碳化硅功率晶圓廠第一階段建設已圓滿完成，去年8 月正式啟用居林 3 號晶圓廠模塊，SiC 生產于 2024 年底啟動。

歐洲

英飛凌：通過在德國德累斯頓建設新工廠，英飛凌旨在擴大產能，提高生產效率，降低成本，從而增強在全球市場的競爭力。目前已獲得最終建設許可，正在按計劃進行建設，包括基坑挖掘和基礎建設等工作。按計劃該工廠將于 2026 年開始生產，主要用于生產模擬 / 混合信號和功率類產品，將創造大約 1000 個高素質工作崗位。

ESMC：德國經濟部當地時間 2024 年 12 月 13 日宣布，由德國政府、臺積電、博世、英飛凌、恩智浦共同出資的 ESMC 德累斯頓晶圓廠項目融資正式獲批啟動。ESMC 德累斯頓晶圓廠整體投資規模將超 100 億歐元，德國政府方面資助約占半數的 50 億歐元，臺積電出資約 35%，博世、英飛凌和恩智浦半導體各出資約 5%。該工廠將在 300mm 的硅晶圓上生產 28nm-12nm 成熟制程的車用、工業半導體產品，滿載時月產能將達約 4.17 萬片晶圓。

Wolfspeed：Wolfspeed原計劃在德國薩爾州建造一座全球最大的8英寸碳化硅晶圓工廠，該工廠將采用創新性制造工藝來生產下一代碳化硅器件。但Wolfspeed在去年6月宣布推遲了在德國薩爾州建設價值30億美元工廠的計劃。

英特爾：英特爾馬格德堡晶圓廠的建設進度多次推遲。最初計劃于2023年上半年啟動，但隨后因補貼問題、施工現場遺跡清理、黑土保護等挑戰，推遲至2024年夏天。然而，到了2024年，該項目又因歐盟補貼緩慢等原因，再次推遲至2025年5月動工。

美國

英特爾：由于市場挑戰以及政府撥款緩慢等原因，英特爾在 2024 年 3 月 1 日提交給俄亥俄州政府官員的一份報告中顯示，他們在俄亥俄州的兩座晶圓廠生產將比原計劃至少晚兩年，要到 2027 年或 2028 年才能投入運營。

從產業發展角度而言，2024 年全球晶圓廠的這些動態意味著半導體行業競爭格局愈發復雜多元。一方面，傳統芯片制造巨頭如臺積電、三星等加速全球布局，在不同地域憑借技術、資金與品牌優勢搶占市場高地;另一方面，新興區域如中國、新加坡等地的晶圓廠蓬勃興起，借助政策扶持與本土市場潛力，不斷縮小與行業領導者的差距，給全球半導體供應鏈帶來新的變數。

另一方面，數以百億計的投資涌入各地，創造了海量直接與間接就業崗位。從建筑工人搭建廠房，到設備工程師調試高精尖機器，再到研發人員探索前沿技術，產業鏈各環節人才需求大增。同時，帶動了當地配套產業如化工、精密機械、軟件研發等協同發展，為區域經濟注入強勁動力。以德國德累斯頓為例，臺積電與英飛凌等企業的項目落地，不僅讓這座城市成為歐洲半導體產業新地標，更輻射周邊地區，形成產業集群效應。

02

2025年

根據 SEMI 最新的全球晶圓廠預測季度報告，半導體行業預計將在 2025 年啟動 18 個新晶圓廠建設項目 。新項目包括三座 200 mm和十五座 300 mm設施，其中大部分預計將于 2026 年至 2027 年開始運營。

根據預測，中國芯片制造商預計于 2024 年推進 18 座新晶圓廠的建設，產能年增長率將從 2023 年的 12% 躍升至 13%，相應地，產能規模也會由 760 萬片攀升至 860 萬片。

中國臺灣地區在全球半導體產能排名中仍穩居第二。其產能年增長率在 2023 年為 5.6%，2024 年預計為 4.2%，每月產能處于穩步上升態勢，將從 540 萬片增長至 570 萬片，并且自 2024 年起預計會有 5 座新晶圓廠正式投產運營。

全球半導體產能排名第三的韓國，預計 2024 年僅有 1 座新晶圓廠投入生產，產能將在 2023 年 490 萬片的基礎上增長 5.4%，達到 2024 年的 510 萬片。

日本作為全球半導體產能第四的國家，預計 2024 年將有 4 座新晶圓廠開啟投產進程，產能從 2023 年的 460 萬片增長至 2024 年的 470 萬片，年增長率約 2%。

從區域維度來看，美洲地區在 2024 年將見證 6 座新晶圓廠的投產，這將推動該地區晶圓產能年增長率達到 6%，產能規模提升至 310 萬片。歐洲和中東地區同樣不甘示弱，2024 年計劃有 4 座新晶圓廠投產，預計產能將借此提升 3.6%，達到 270 萬片。東南亞地區在 2024 年也將發力，有 4 座新晶圓廠上馬，產能有望增加 4%，升至 170 萬片。

03

結語

隨著新晶圓廠逐步落地運營，更先進的制程工藝將加速迭代，對芯片性能、功耗、可靠性等關鍵指標的提升至關重要。例如，200mm 和 300mm 晶圓廠設施的建設，將適配不同芯片產品需求，促使半導體產品多元化發展，進一步滲透至人工智能、物聯網、新能源汽車等前沿領域。

去年全球晶圓廠呈現出多元發展態勢。不同國家和地區的晶圓廠項目各有進展，產能或逐步提升，或處于規劃建設階段。從臺積電、三星等行業巨頭到新興區域的廠商，都在技術研發、產能擴充、市場布局上發力。2025 年半導體行業新廠建設已有預期，后續需關注這些項目能否按時推進、技術突破能否落地以及產能釋放對市場供需的影響，進而推動半導體產業及相關經濟領域持續穩定發展。