2022年由于眾所周知的原因，導致中國存儲芯片難以獲得先進芯片設備，他們的技術研發也因此一度陷入停滯。

2022年中國的存儲芯片率先量產232層NAND flash，技術上的超越發起了第一輪價格戰，讓三星利潤暴跌九成，美國存儲芯片企業美光巨虧數十億美元。

之后美日韓存儲芯片量產了更先進的300層NAND flash，技術上再取得優勢，加上他們本來就占有超過九成的市場份額，技術和市場優勢讓他們聯合推動價格翻倍，利潤大幅增長。

這兩年中國存儲芯片力推國產芯片設備替代，存儲芯片無需如邏輯芯片那樣采用先進的工藝，例如DRAM內存就只是用到19納米工藝，用落后一些的工藝，存儲芯片可以更耐用、更可靠，國產芯片逐漸恢復了正常生產，技術方面也取得了突破。

據悉今年中國存儲芯片產能占全球的份額已達到10%，較2022年的5%翻了一倍，生產恢復正常后，中國存儲芯片開始再度大舉攻占市場，由此近兩個月以來DDR4內存降價了四成。

中國存儲芯片也已開始量產DDR5內存芯片，據稱良率已達到80%，而明年中國存儲芯片產能占全球的比例將達到15%，產能的進一步增加，以及技術上的升級，可以預期明年中國存儲芯片的攻勢會更猛。

存儲芯片是中國芯片發起攻勢的一個縮影，中國在成熟芯片方面已快與中國臺灣比肩，隨著中國成熟芯片產能的大幅上升，中國芯片正大舉在全球發起攻勢。

近期中國臺灣的媒體就指出中國的芯片代工企業以六成的價格搶奪芯片客戶，眾多中國臺灣的芯片企業已心動，因此減少了給中國臺灣的聯電、力積電的訂單，而大舉增加對中國大陸芯片代工企業的下單。

這也推動中國大陸的芯片代工企業在今年三季度均取得一成以上的增長，其中中芯國際更是以14%的增速居于全球第一，連全球最強的臺積電增速也只有13%多點，而聯電、力積電等的增長只有個位數，三星的芯片代工更是大幅下跌。

中國的成熟芯片大舉進攻國際市場，推動中國芯片出口額在今年前11個月就已突破萬億元人民幣，這也是中國芯片出口首次突破萬億元人民幣，凸顯出中國芯片在國際市場的猛烈攻勢。

中國芯片的猛烈攻勢，導致美國近期計劃采取措施調查中國的成熟芯片，可見美國芯片是真的無法在市場上與中國芯片競爭，凸顯出中國芯片的競爭優勢實在驚人。

恐怕美國怎么也沒想到，數年下來，美國連連采取措施，中國芯片卻仍然頑強成長起來，還大舉進攻國際市場，給他們造成如此巨大的壓力，這樣的結果恐怕是真的讓他們后悔得腸子都青了吧。