【2024年7月10日，中國上海訊】7月8~10日，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌攜廣泛的功率及電源類半導體產品亮相“2024慕尼黑上海電子展”。以“低碳化和數字化推動可持續發展”為主題，全面展示了英飛凌在綠色低碳可持續技術領域的深厚積淀，以及在綠色能源與工業、智能家居、電動汽車等應用市場的創新解決方案。在展會期間，還首次舉辦“2024英飛凌寬禁帶論壇”，聚焦于第三代半導體新材料、新應用的最新發展成果，與行業伙伴共同探討寬禁帶領域的應用與發展，攜手推動低碳化和數字化的發展進程。

伴隨新能源多應用市場的蓬勃發展，第三代半導體技術對新質生產力的支撐作用日益增強。以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導體已成為綠色能源產業發展的重要推動力，幫助實現更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。作為全球功率系統領域的半導體領導者，英飛凌在第三代半導體如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)領域持續布局，通過技術創新、產能擴張及市場應用拓展，為光儲、智能家居、新能源汽車等低碳化趨勢下的關鍵行業提供了高性能的功率半導體解決方案，推動了行業的綠色轉型和可持續發展。

在9日上午的主論壇開場致辭中，英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區負責人潘大偉表示：“半導體解決方案是實現氣候目標的關鍵，寬禁帶半導體能顯著提升能源效率，推動實現低碳轉型。在當前綠色低碳化的大背景下，以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導體作為新材料和新技術已開始廣泛應用于新能源、電動汽車、儲能、快充等多個領域。作為行業領導者，英飛凌憑借持續的技術革新與市場布局，在寬禁帶半導體領域發揮著引領作用，致力于滿足經濟社會發展對于更高能效、更環保的半導體產品的需求。”

在《寬禁帶創新技術加速低碳化和數字化》主題演講中，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區市場營銷負責人劉偉和英飛凌科技副總裁、英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區市場營銷負責人沈璐分別從市場角度闡述了英飛凌在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)寬禁帶半導體領域的領先優勢。基于在SiC領域的豐厚積累，英飛凌擁有40多年對SiC工藝制程、封裝和失效機理的理解，全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠以及業界最廣泛的SiC產品組合、應用市場、客戶群覆蓋。尤其是推出的新一代CoolSiCTM MOSFET Gen2技術，與上一代產品相比，將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%，顯著提升整體能效。在GaN方面，自去年10月完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems)，目前英飛凌的氮化鎵產品組合包括高壓和中壓的BDS、感測、驅動和控制系列，可廣泛應用于AI服務器、車載充電器(OBC)、光伏、電機控制、充電器和適配器等。如在AI服務器領域，基于AI系統對更高功率的需求，進一步增加了半導體的使用量。

在技術市場方面，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區技術市場負責人陳志豪和英飛凌科技高級技術總監、英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區技術市場負責人陳立烽則從技術應用的角度介紹了英飛凌寬禁帶產品如何助力能源效率提升。如Si、SiC 和GaN三種半導體材料器件的技術特性對比，指出雖然硅超級結在低開關頻率中占優，但SiC和GaN終將主導新型拓撲結構和高頻應用;結合CoolSiC?和CoolGaN?的技術特性及優勢，分別在不同領域的典型應用案例，如在公共電源轉換(PCS)系統中采用SiC模塊，可實現>99%的效率，CoolGaN?雙向開關在微型逆變器中的應用等。

此外，Yole Group化合物半導體資深分析師邱柏順從行業分析的角度向與會者分享了全球碳化硅與氮化鎵市場最新發展趨勢及展望。華中科技大學教授、博導彭晗綜合介紹了寬禁帶功率器件的應用機遇與挑戰。

在9日下午舉行的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)分論壇上，來自英飛凌及行業內的近20位嘉賓，從市場趨勢、應用方案、技術創新等多個維度為與會者呈現了兩場精彩的寬禁帶半導體知識盛宴。市場趨勢上，深入剖析了新能源汽車、光伏、儲能、服務器電源等關鍵領域對寬禁帶半導體需求的快速增長，同時，隨著技術的不斷成熟和成本的逐步下降，寬禁帶半導體將迎來更加廣闊的發展空間。

綠色能源與工業

功率半導體在降低能耗、提高能源轉換效率方面發揮著突出作用，是實現雙碳目標的利器。作為功率半導體市場的全球領導者，英飛凌提供高能效和高功率密度的領先半導體解決方案，全面覆蓋從發電到輸配電再到儲能和用電的電力全產業鏈，為行業發展注入綠色動能。

在綠色能源與工業展區，英飛凌重點展出的亮點產品和解決方案包括用于光伏發電的四路2000V 60A MPPT EasyPACK? CoolSiC? MOSFET 3B碳化硅模塊，該模塊可以在簡化系統設計的同時，提高功率密度、降低總體成本;還有光伏組串逆變器EasyPACKTM 模塊，該模塊由950V IGBT7和1200V SiC二極管構成, 能有效降低IGBT的開關損耗;同時還有專為滿足集中式太陽能逆變器以及工業電機驅動和不間斷電源(UPS)的需求而開發的62mm封裝2000V CoolSiCTM半橋模塊。此外，業內領先的2kV CoolSiCTM單管以及英飛凌第二代CoolSiCTM單管均有展出。

智能家居

在智能家居展區，英飛凌的 “火箭飛船著陸器” 以有趣的互動游戲，向觀眾展示了使用英飛凌PSOC? Edge MCU的高性能計算能力。在一個10英寸的顯示屏上，玩家通過手勢控制下降的火箭，使其遠離障礙物并安全著陸，結合Cortex?-M55與Helium DSP來解決計算需求和具有挑戰性的游戲邏輯，以及Ethos?-U55 CPU來有效執行機器學習模型。手勢識別由英飛凌XENSIV?傳感器(BGT60TR13C)執行，并與先進的HMI功能相結合，以實現豐富的視覺元素和游戲圖形。

在功率電源領域，英飛凌6月最新推出的中壓CoolGaN? 器件也重磅亮相，與之相匹配地還展出了基于英飛凌中壓氮化鎵的2KW馬達驅動解決方案。此外，240W USB-PD適配器1C展品采用了數字控制XDPS2222 Combo IC CrM PFC + 混合反激HFB + GaN，展示了英飛凌高功率、單端口的數字電源解決方案。

除了元器件，英飛凌還通過“智能電磁爐參考設計”展示了其卓越的一站式解決方案能力。該參考設計涵蓋了打造高端電磁爐所需的全套解決方案，包括先進的微控制器、IGBT、柵極驅動器、電流傳感器、CAPSENSE? HMI、麥克風以及無線連接組件，有效加速開發進程。這款全功能入門套件憑借其先進功能可助力客戶的電磁爐解決方案在未來幾年內保持行業領先地位。

電動汽車

作為全球最大的汽車半導體供應商，英飛凌在汽車電子領域深耕數十年，能夠提供廣泛的產品和解決方案組合，賦能未來出行。

在電動汽車展區，英飛凌進行了一系列的技術演示，其中包括使用英飛凌第二代HybridPACK? Drive碳化硅功率模塊的電機控制器系統演示，該系統集成了AURIX? TC3xx、第二代1200V SiC HybridPACK? Drive模塊、第三代EiceDRIVERTM驅動芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等，讓現場觀眾身臨其境地體驗并深入了解英飛凌產品的卓越功能、創新特性，及其在緩解電動汽車里程焦慮應用中所展現的獨特價值。

此外，英飛凌還在該展區展示了電流傳感器模組、分立功率器件家族、QDPAK封裝低導通電阻碳化硅器件、基于可焊接TO247單管的組件Demo方案、HybridPACK? Drive產品系列、11kW OBC全GaN高功率密度充電系統解決方案，還有基于CoolMOS?和OptiMOS?功率MOSFET、CoolGaN? SG HEMT開關、CoolMOS? QDPAK CFD7A、6.5A 2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板(配SiC MOSFET)等諸多支持電動出行和電動交通快速發展的產品和解決方案。