導(dǎo)語：據(jù)彭博社統(tǒng)計，以美國與歐盟為代表的大型經(jīng)濟體已投入數(shù)百億美元，用于研發(fā)與量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體，這還只是首批到位的資金。與此同時，韓國與日本也加入芯片“補貼競賽”。隨著大量資金不斷涌入半導(dǎo)體，全球芯片之爭將愈演愈烈。

 據(jù)彭博社統(tǒng)計，以美國與歐盟為代表的大型經(jīng)濟體已投入數(shù)百億美元，用于研發(fā)與量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體，這還只是首批到位的資金。與此同時，韓國與日本也加入芯片“補貼競賽”。隨著大量資金不斷涌入半導(dǎo)體，全球芯片之爭將愈演愈烈。

韓國：投入190億美元支持芯片產(chǎn)業(yè)

5月23日，韓國公布高達26萬億韓元(約190億美元)規(guī)模的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)綜合支持計劃，包括提供大規(guī)模融資支持，以及擴大建設(shè)半導(dǎo)體園區(qū)及各種基礎(chǔ)建設(shè)、研發(fā)人員培育的投資規(guī)模，涉及企業(yè)包括芯片制造商、原料供應(yīng)商和芯片設(shè)計企業(yè)等。

該計劃的核心內(nèi)容是韓國產(chǎn)業(yè)銀行設(shè)立總值17萬億韓元(約124億美元)的融資支持項目，專門用于半導(dǎo)體行業(yè)基建投資。同時韓國將延長對芯片投資的稅收減免優(yōu)惠，確保半導(dǎo)體超級集群投資順利進行。

半導(dǎo)體是韓國重要的經(jīng)濟增長源頭產(chǎn)業(yè)，隨著美歐大力補貼芯片產(chǎn)業(yè)，韓國積極應(yīng)對，推動本土芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

今年1月韓國對外發(fā)布《全球最大最好半導(dǎo)體超級集群構(gòu)建方案》，提出到2047年為止，投入622萬億韓元(約4540億美元)的投資，新建包括研發(fā)工廠在內(nèi)的16個工廠，在韓國京畿道南部平澤、華城、龍仁、利川、水原等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)密集城市構(gòu)建“半導(dǎo)體超級集群”，預(yù)計到2030年，芯片生產(chǎn)能力將達到每月770萬張。

歐洲：2030年將吸引1000億歐元資金

近期，歐盟委員會一位官員對外透露，《歐洲芯片法案》有望在2030年前幫助歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)吸引超過1000億歐元(約1080億美元)資金。

上述官員還表示，歐盟委員會計劃在九月前完成對四條先進半導(dǎo)體中試線資助計劃的審核，并正在籌劃另一條投資規(guī)模不詳?shù)墓韫庾訉W(xué)芯片中試線。

《歐洲芯片法案》已于2023年9月正式生效，目標(biāo)是到2030年將歐盟在全球半導(dǎo)體市場的份額從現(xiàn)在的10%提高到至少20%。該法案承諾將調(diào)動430億歐元(約464億美元)的補貼資金，其中110億歐元(約118億美元)將用于先進制程芯片技術(shù)的研發(fā)。

業(yè)界透露，歐洲最大的兩個芯片項目位于德國，德國計劃拿出200億美元補貼，以提高芯片產(chǎn)量，其中約75%的資金將流向英特爾和臺積電。

英特爾計劃在德國馬格德堡斥資超300億歐元(330億美元)建設(shè)晶圓廠，預(yù)計可以獲得近110億美元的政府補助;臺積電計劃在德國建設(shè)其首座歐洲工廠，同樣將獲得政府補助。近期媒體報道該工廠建廠作業(yè)正在按計劃進行，將在2024年第四季度開始建設(shè)。

日本：已籌集約253億美元用于芯片領(lǐng)域

為增強半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研發(fā)于生產(chǎn)能力，日本在半導(dǎo)體領(lǐng)域同樣提供了大量補貼，涵蓋包括吸引外資建廠、加強本土尖端制程研發(fā)與生產(chǎn)等方面。

媒體報道，日本自2021年6月制定了《半導(dǎo)體與數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略》至今，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省已為其芯片產(chǎn)業(yè)籌集了約253億美元，涉及廠商包括臺積電、Rapidus等。

今年2月臺積電熊本廠正式開幕，這是臺積電在日本的第一座工廠(Fab23)，未來總產(chǎn)能將達40~50Kwpm規(guī)模，其制程將以22/28nm為主，還有少量的12/16nm，為后續(xù)的熊本二廠主力制程作準(zhǔn)備。

4月，日本批準(zhǔn)向Rapidus公司提供高達39億美元的補貼，Rapidus是該國本土半導(dǎo)體制造公司，計劃于2027年量產(chǎn)2納米芯片。

除了晶圓代工之外，日本還積極發(fā)力存儲器產(chǎn)業(yè)。此前日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省宣布提供2429億日元(15.46億美元)，補貼給鎧俠和西部數(shù)據(jù)，用于在三重縣和巖手縣興建兩座最先進的 NAND 閃存芯片生產(chǎn)工廠，以滿足人工智能和大數(shù)據(jù)中心的需求。上述合資工廠將218層3D NAND芯片。

美國：向臺積電、三星、英特爾等撥款290億美元

美國《芯片和科學(xué)法案》于2022年8月推出，該法案計劃為美國芯片研究、開發(fā)、制造和勞動力發(fā)展提供了527億美元的資助，并為制造芯片與相關(guān)設(shè)備資本支出提供25%的投資稅收抵免。

近期媒體報道，自2023年12月以來，美國已經(jīng)撥款約290億美元，向包括三星、臺積電、英特爾、美光等廠商提供補助，而上述芯片制造商則承諾在美國當(dāng)前和未來的芯片制造項目中投入約3000億美元。

今年4月美光、三星與臺積電獲得了美國資金補助，其中美光將在紐約州北部和愛達荷州博伊西(其總部所在地)建立兩個新的芯片制造工廠，獲得了61.4億美元的資金;三星將在德克薩斯州泰勒建立領(lǐng)先的邏輯、研發(fā)和先進封裝工廠，并擴建德克薩斯州奧斯汀的成熟制程節(jié)點的生產(chǎn)工廠，獲得了64億美元補助;臺積電在亞利桑那州鳳凰城開發(fā)三座尖端晶圓廠，獲得了66億美元補助。

此前，美國微芯科技公司與英特爾也分別獲得了1.62億美元與85億美元的資助，其中英特爾的85億美元是迄今為止美國芯片法案提供的最多的一筆資助，英特爾將利用該筆資金推動其在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州的商業(yè)芯片項目進展。