導語：4月15日，美國政府宣布與韓國三星電子達成一項初步協議，依據《芯片法案》提供至多64億美元的直接補貼。基于此，三星將在得克薩斯州投資超過400億美元，建設包括兩座先進邏輯代工廠，一座封裝廠等一整套半導體研發和生產生態。

 4月15日，美國政府宣布與韓國三星電子達成一項初步協議，依據《芯片法案》提供至多64億美元的直接補貼。基于此，三星將在得克薩斯州投資超過400億美元，建設包括兩座先進邏輯代工廠，一座封裝廠等一整套半導體研發和生產生態。結合4月上旬拿到66億美元補貼的臺積電，3月末拿到85億美元補貼的英特爾，以及今年2月拿到15億美元補貼的格芯(GlobalFoundries)，目前四大芯片制造大廠都已經拿到補貼。

據TrendForce集邦咨詢研究顯示，臺積電、三星、格芯在2023年第四季全球前十大晶圓代工業者占據前三榜，而在第三季英特爾也曾成功擠進前十榜單，排名第九。TrendForce集邦咨詢預計，2024年在AI相關需求的帶動下，前十大晶圓代工營收預估有機會年增12%，達1,252.4億美元，而臺積電受惠于先進制程訂單穩健，年增率將大幅優于產業平均。

近期包括臺積電、三星、聯電、力積電、世界先進在內的廠商紛紛發布最新財報，從各家數據看，晶圓代工行業景氣度有所回升。據悉，臺積電3月實現營收約60.5億美元，同比增長34.3%;三星2024年一季度營業利潤約為6.6萬億韓元(合49億美元)，同比增長931.3%;力積電今年第一季營收108.2億元新臺幣，毛利率回升至 15.4%;聯電3月實現營收約5.63億美元，同比增長2.7%;世界先進3月實現營收約1.12億美元，同比增長44.8%。

三星：新建兩座代工廠，擴充HBM芯片封裝產能

據美國商務部國家標準及技術研究所官網(NIST)貼出的聲明，三星電子此次與美國政府簽訂的是不具約束力的初步備忘錄。

三星電子將在得克薩斯州的兩個地點建立一個半導體生態集群，包括在泰勒市建設兩座先進邏輯代工廠，制程分別為4nm和2nm;在泰勒市新建一座先進制程研發設施;在泰勒市新建一座可進行3D HBM內存的生產和2.5D封裝先進封裝工廠;在奧斯汀擴建現有半導體設施，擴大FD-SOI(全耗盡型絕緣體上硅)工藝產能。

作為配套美國政府還將通過《芯片法案》提供4000萬美元的當地勞動力培訓發展資金。另外，除了協議中提到的64億美元直接撥款外，三星還計劃申請美國財政部的投資稅收抵免，預期能夠覆蓋合規資本支出的25%。

臺積電：66億美元補助，將在美建設第三座晶圓廠

4月8日，美國商務部和臺積電簽署一份不具約束力的初步備忘錄(PMT)，基于《芯片與科學法》，臺積電將獲得最高可達66億美元的直接補助。當日臺積電宣布計劃在美國亞利桑那州建設第三座晶圓廠。

當前，臺積電在美國亞利桑那州的晶圓一廠、二廠正在如火如荼地進行。其中，晶圓一廠有望于2025年上半年開始采用4nm技術生產。晶圓二廠除了之前宣布的3nm技術外，還將生產世界上最先進的2nm工藝技術，采用下一代納米片晶體管，并于2025年開始生產。

臺積電表示，其第三座晶圓廠將使用2納米或更先進的工藝生產芯片，并計劃在2028年開始生產，預計將創造約6,000個直接高科技、高薪工作崗位。此外，根據大鳳凰城經濟發展促進會(Greater Phoenix Economic Council)的分析報告，針對這三座晶圓廠的增額投資將創造累計超過2萬個單次的建造工作機會，以及數以萬計的間接供應商和消費端累計的工作機會。

據悉，算上美國政府的補貼，臺積電在亞利桑那州建設的三座晶圓廠投資總金額將超過650億美元，其中包括先前宣布的400億美元投資計劃，此次追加的250億美元將主要用于第三座晶圓廠的建設經費上。對此，美國商務部長雷蒙多(Gina Raimondo)表示，這些晶圓廠將支援所有人工智能的芯片。

英特爾：195億美元補貼，最少建設兩座新廠

3月20日，美國商務部宣布，與英特爾達成一份不具約束力的初步條款備忘錄(PMT)，將根據美國芯片法案向英特爾提供至多85億美元的直接資金和最高110億美元貸款。

其中，85億美元的直接資金將分批發放，這取決于英特爾是否達到一些特定的“里程碑”。一旦協議被確定，提供給英特爾的相關資金最早或在今年晚些時候到位。

英特爾將在美國四個州投資超1000億美元，包括在亞利桑那州和俄亥俄州大型工廠生產尖端半導體，以及俄勒岡州和新墨西哥州小型工廠的設備研發和先進封裝項目。

資料顯示，英特爾于2022年宣布在俄亥俄州建設兩座新廠，預計完工時間為2025年。不過近期英特爾表示，兩座工廠的實際建設完工時間或將推遲到2026年或2027年，而投產則要等到2027年或2028年。

格芯：獲15億美元補貼，新建一個半導體生產設施

2月19日，美國政府宣布向格芯(Global Foundries)提供15億美元資金補貼，根據與美國商務部達成的初步協議，格芯將在美國紐約州馬耳他建立一個新的半導體生產設施，并擴大在馬耳他和佛蒙特州伯靈頓的現有業務。

此外，除了15億美元的補貼之外，政府還將提供給格芯16億美元的貸款，最后帶動的投資可能在120億美元左右。

針對格芯補貼，美國商務部長雷蒙多說，格芯馬耳他工廠的擴建將確保通用汽車(GM)等汽車供應商和制造商能取得穩定的的芯片供給。格芯和通用汽車在2月9日已宣布了長期協議，通用將能取得美國制造的處理器，以避免芯片短缺，導致工廠停產的事件重演。而格芯整修后的伯靈頓工廠將成為美國第一家能夠大量生產下一代氮化鎵(GaN)硅芯片的工廠，此種芯片可用于電動車、電網和智能手機。